Počet záznamov: 1
Gate leakage reduction of AlGaN/GaN MOS-HFETs with HfO2 prepared by ALD
Názov Gate leakage reduction of AlGaN/GaN MOS-HFETs with HfO2 prepared by ALD Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter Zdroj.dok. ASDAM 2014 : The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 133-136. - : IEEE, 2014 / Breza Juraj ; Donoval Daniel ; Vavrinský E. Jazyk dok. slo - slovenčina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2014 článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2014
Počet záznamov: 1