Počet záznamov: 1  

Material and device issues of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates

  1. NázovMaterial and device issues of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates
    Autor Javorka P.
    Spoluautori Alam A.

    Marso M.

    Wolter M.

    1960 Kuzmík Ján SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Fox A.

    Heuken M.

    Kordoš Peter

    Zdroj.dok. . Vol. 34 (2003), p. 435-437 Microelectronics Journal
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaNL - Holandsko
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyCHUANG, R.W. – CHANG, SP- CHANG SJ- CHIOU, YZ-LU,CY – LIN, TK – LIN, YC – KUO, CF – CHNG, HM IN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 2007, 102, ART. NO. 073110.wos
    CHANG, S.J. - KO, T.K. - SHEU, J.K. - SHEI, S.C. - LAI, W.C. - CHIOU, Y.Z. - LIN, Y.C. - CHANG, C.S. - CHEN, W.S. - SHEN, C.F. SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL. ISSN 0924-4247, APR 15 2007, vol. 135, no. 2, p. 502-506.
    CHANG, S.P. - CHANG, S.J. - LU, C.Y. - CHUANG, R.W. In EDSSC: 2008 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS. 2008, p. 264-267.
    CUERDO, R. - SILLERO, E. - ROMERO, M.F. - UREN, M.J. - POISSON, M.A.D. - MUNOZ, E. - CALLE, F. In IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. ISSN 0741-3106, AUG 2009, vol. 30, no. 8, p. 808-810.
    CHANG, S.P. - CHANG, S.J. - LU, C.Y. - CHIOU, Y.Z. - CHUANG, R.W. - LIN, H.C. In JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. ISSN 0022-0248, MAY 1 2009, vol. 311, no. 10, p. 3003-3006.
    CHANG, S.P. In JOURNAL OF NANOMATERIALS. 2012.
    CHANG, S.P. In INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE. AUG 2013, vol. 8, no. 8, p. 10280-10292.
    MUKHOPADHYAY, P. - CHOWDHURY, S. - WOWCHAK, A. - DABIRAN, A. - CHOW, P. - BISWAS, D. In JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. MAY 2013, vol. 31, no. 3.
    KAUSHIK, J.K. - BALAKRISHNAN, V.R. - PANWAR, B.S. - MURALIDHARAN, R. In SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. JAN 2013, vol. 28, no. 1.
    MUKHOPADHYAY, P. - BAG, A. - GOMES, U. - BANERJEE, U. - GHOSH, S. - KABI, S. - CHANG, E.Y.I. - DABIRAN, A. - CHOW, P. - BISWAS, D. In JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. APR 2014, vol. 43, no. 4, p. 1263-1270.
    AJAYAN, J. - NIRMAL, D. - MOHANKUMAR, P. - MOUNIKA, B. - BHATTACHARYA, S. - TAYAL, S. - FLETCHER, A.S.A. Challenges in material processing and reliability issues in AlGaN/GaN HEMTs on silicon wafers for future RF power electronics & switching applications: A critical review. In MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. ISSN 1369-8001, NOV 15 2022, vol. 151. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106982.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2003
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2003
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.