Effect of HCl pretreatment on the oxide/semiconductor interface state density in AlGaN/GaN MOS-HEMT structures with MOCVD grown Al2O3 gate dielectric

Počet záznamov: 1

Názov	Effect of HCl pretreatment on the oxide/semiconductor interface state density in AlGaN/GaN MOS-HEMT structures with MOCVD grown Al2O3 gate dielectric
Autor	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 207-210. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2016
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
DOI	10.1109/ASDAM.2016.7805931

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	N

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2016

Počet záznamov: 1