Počet záznamov: 1
Non-arrhenius degradation of AlGaN/GaN HEMTs grown on bulk GaN substrates
Názov Non-arrhenius degradation of AlGaN/GaN HEMTs grown on bulk GaN substrates Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Killat N. Moereke J. Paskova T. Evans Kevin R. Leach J. Li X. Ozgur U. Morkoc H. Chabak K.D. Crespo A. Gillespie J.K. Fitch R. Kossler M. Walker D.E. Trejo M. Via G.D. Blevins J.D. Kuball M. Zdroj.dok. IEEE Electron Devices Letters. Vol. 33, (2012), p. 1126-1128 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy ZANONI, E. - MENEGHINI, M. - CHINI, A. - MARCON, D. - MENEGHESSO, G. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. OCT 2013, vol. 60, no. 10, SI, p. 3119-3131. STOCCO, A. - DALCANALE, S. - RAMPAZZO, F. - MENEGHINI, M. - MENEGHESSO, G. - GRUNENPUTT, J. - LAMBERT, B. - BLANCK, H. - ZANONI, E. In MICROELECTRONICS RELIABILITY. SEP-OCT 2014, vol. 54, no. 9-10, SI, p. 2237-2241. Janke, W., Wojtasiak, W. Przeglad Elektrotechniczny 91 (2015), pp. 65-73 MENEGHINI, M. - MENEGHESSO, G. - ZANONI, E. In GALLIUM NITRIDE (GAN): PHYSICS, DEVICES, AND TECHNOLOGY. 2016, vol. 47, p. 327-361. MENEGHINI, M. - BARBATO, A. - ROSSETTO, I. - FAVARON, A. - SILVESTRI, M. - LAVANGA, S. - SUN, H.F. - BRECH, H. - MENEGHESSO, G. - ZANONI, E. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. MAR 2017, vol. 64, no. 3, p. 1032-1037. MENEGHESSO, G. - MENEGHINI, M. - DE SANTI, C. - RUZZARIN, M. - ZANONI, E. Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors. In MICROELECTRONICS RELIABILITY. JAN 2018, vol. 80, p. 257-265. ZHANG, D.L. - CHENG, X.H. - NG, W.T. - SHEN, L.Y. - ZHENG, L. - WANG, Q. - QIAN, R. - GU, Z.Y. - WU, D.P. - ZHOU, W. - ZHU, H.Y. - YU, Y.H. Reliability Improvement of GaN Devices on Free-Standing GaN Substrates. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. AUG 2018, vol. 65, no. 8, p. 3379-3387. VORONENKOV, Vladislav V. - LELIKOV, Yuri S. - ZUBRILOV, Andrey S. - SHRETER, Yuri G. - LEONIDOV, Andrey A. Thick GaN Film Stress-induced Self-separation. In PROCEEDINGS OF THE 2019 IEEE CONFERENCE OF RUSSIAN YOUNG RESEARCHERS IN ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING (EICONRUS). ISSN 2376-6557, 2019, vol., no., pp. 833-837. HAMZA, K.H. - NIRMAL, D. - ARIVAZHAGAN, L. Impact of AlGaN Back Barrier in AlGaN/GaN HEMT on GaN substrate. In 2020 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEVICES, CIRCUITS AND SYSTEMS (ICDCS' 20). ISSN 2470-847X, 2020, p. 290-293. TANAKA, A. - SUGIURA, R. - KAWAGUCHI, D. - WANI, Y. - WATANABE, H. - SENA, H. - ANDO, Y. - HONDA, Y. - IGASAKI, Y. - WAKEJIMA, A. - ANDO, Y. - AMANO, H. Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors. In SCIENTIFIC REPORTS. ISSN 2045-2322, MAY 5 2022, vol. 12, no. 1. Dostupné na: https://doi.org/10.1038/s41598-022-10610-4. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1109/LED.2012.2199278 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2012 2011 2.849 Q1 2.382 Q1
Počet záznamov: 1