Počet záznamov: 1
Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate insulation grown by CVD
Názov Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate insulation grown by CVD Autor Pozzovivo G. Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Golka S. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Schrenk W. Strasser G. Pogany D. Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 5, (2008), p. 1956-1958 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy HAHN, H. - ALAM, A. - HEUKEN, M. - KALISCH, H. - VESCAN, A. In SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. JUN 2012, vol. 27, no. 6. DUTTA, G. - TURUVEKERE, S. - KARUMURI, N. - DASGUPTA, N. - DASGUPTA, A. In IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. NOV 2014, vol. 35, no. 11, p. 1085-1087. WATANABE, A. - FREEDSMAN, J.J. - ODA, R. - ITO, T. - EGAWA, T. In APPLIED PHYSICS EXPRESS. APR 2014, vol. 7, no. 4. KUMAR, S. - REMESH, N. - DOLMANAN, S.B. - TRIPATHY, S. - RAGHAVAN, S. - MURALIDHARAN, R. - NATH, D.N. In SOLID-STATE ELECTRONICS. NOV 2017, vol. 137, p. 117-122. KANAGA, S. - KUSHWAH, B. - DUTTA, G. - DASGUPTA, N. - DASGUPTA, A. AlInN/GaN MIS-HEMTs with High Pressure Oxidized Aluminium as Gate Dielectric. In 2018 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS, COMPUTING AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES (CONECCT). 2018. KANAGA, S. - DUTTA, G. - KUSHWAH, B. - DASGUPTA, N. - DASGUPTA, A. Low Temperature and High Pressure Oxidized Al2O3 as Gate Dielectric for AlInN/GaN MIS-HEMTs. In IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY. ISSN 1530-4388, SEPT 2020, vol. 20, no. 3, p. 613-621. SARKAR, S. - KHADE, R.P. - SHANBHAG, A. - DASGUPTA, N. - DASGUPTA, A. Near-Ideal Subthreshold Swing in InAlN/GaN Schottky Gate High Electron Mobility Transistor Using Carbon-Doped GaN Buffer. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. ISSN 0018-9383, AUG 2022, vol. 69, no. 8, p. 4408-4413. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/TED.2022.3181539. SARKAR, S. - KHADE, R.P. - DASGUPTA, A. - DASGUPTA, N. Effect of GaN cap layer on the performance of AlInN/GaN-based HEMTs. In MICROELECTRONIC ENGINEERING. ISSN 0167-9317, APR 1 2022, vol. 258. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mee.2022.111756. Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2008 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore N rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2008 2007 0.457 Q3
Počet záznamov: 1