Počet záznamov: 1  

Analysis of current transport in gate oxide based (MOS) Schottky diodes on GaN/AlGaN/GaN

  1. NázovAnalysis of current transport in gate oxide based (MOS) Schottky diodes on GaN/AlGaN/GaN
    Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 52-55. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2017
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2017
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.