Počet záznamov: 1
III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap
Názov III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Liday J. Vogrinčič P. Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 33, (2015), 01A111, Microelectronics and Nanometer Structures Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2015 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1116/1.4905938 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2015 2014 1.464 Q2 0.509 Q2
Počet záznamov: 1