Počet záznamov: 1
Tuning the orientation of few-layer MoS2 films using one-zone sulfurization
Názov Tuning the orientation of few-layer MoS2 films using one-zone sulfurization Autor Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Végsö Karol 1984 SAVCEMEA ; SAVFYZIK - Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV Mrkývková Naďa 1984 SAVFYZIK ; SAVCEMEA - Fyzikálny ústav SAV SCOPUS SCOPUS ORCID Hagara Jakub 1992 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Hutár Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Čaplovičová M. Ludacka U. Skákalová Viera Majková Eva 1950 SAVCEMEA ; SAVFYZIK - Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV ORCID Šiffalovič Peter 1975 SAVCEMEA ; SAVFYZIK - Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV ORCID Hulman Martin 1967 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. RSC Advances. Vol. 9, no. 51 (2019), p. 29645-29651 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy LEE, Junghyun - HEO, Jungwoo - LIM, Hyeong Yong - SEO, Jihyung - KIM, Youngwoo - KIM, Jihyun - KIM, Ungsoo - CHOI, Yunseong - KIM, Su Hwan - YOON, Yung Jin - SHIN, Tae Joo - KANG, Joohoon - KWAK, Sang Kyu - KIM, Jin Young - PARK, Hyesung. Defect-Induced in Situ Atomic Doping in Transition Metal Dichalcogenides via Liquid-Phase Synthesis toward Efficient Electrochemical Activity. In ACS NANO. ISSN 1936-0851, 2020, vol. 14, no. 12, pp. 17114-17124. CICHOCKA, Magdalena O. - BOLHUIS, Maarten - VAN HEIJST, Sabrya E. - CONESA-BOJ, Sonia. Robust Sample Preparation of Large-Area In- and Out-of-Plane Cross Sections of Layered Materials with Ultramicrotomy. In ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. ISSN 1944-8244, 2020, vol. 12, no. 13, pp. 15867-15874. BALASUBRAMANYAM, Shashank - BLOODGOOD, Matthew A. - VAN OMMEREN, Mark - FARAZ, Tahsin - VANDALON, Vincent - KESSELS, Wilhelmus M. M. - VERHEIJEN, Marcel A. - BOL, Ageeth A. Probing the Origin and Suppression of Vertically Oriented Nanostructures of 2D WS2 Layers. In ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. ISSN 1944-8244, 2020, vol. 12, no. 3, pp. 3873-3885. NAVARRO-GAMARRA, K.E. - DE PAOLI, J.M. - PATRITO, E.M. Ellipsometric Investigation of Thick Vertically Oriented MoS2 Films Grown on Mo Foil at High Temperatures. In JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C. ISSN 1932-7447, JAN 28 2021, vol. 125, no. 3, p. 2005-2014. KRBAL, M. - PRIKRYL, J, - PROKOP, V. - et al. Formation of oriented layered MoS2 from amorphous thin film revealed by polarized x-ray absorption spectroscopy. In APPLIED PHYSICS LETTERS, 2022, vol. 121, no. 19, art. no. 192105. PANASCI, S.E. - KOOS, A. - SCHILIRO, E. - et al. Multiscale Investigation of the Structural, Electrical and Photoluminescence Properties of MoS2 Obtained by MoO3 Sulfurization. In NANOMATERIALS, 2022, vol. 12, no. 2, art. no. 182. ZULKIFLI, Nur 'Adnin Akmar - ZAHIR, Nor Hilmi - RIPAIN, Atiena Husna Abdullah - SAID, Suhana Mohd - ZAKARIA, Rozalina. Sulfurization engineering of single-zone CVD vertical and horizontal MoSsub2/sub on p-GaN heterostructures for self-powered UV photodetectors. In NANOSCALE ADVANCES, 2023, vol. 5, no. 3, pp. 879-892. ISSN 2516-0230. Dostupné na: https://doi.org/10.1039/d2na00756h. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1039/c9ra06770a 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Tuning the orientation of few-layer MoS2 films using one-zone sulfurization.pdf Prístupný 947.7 KB 3 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2019 2018 3.049 Q2 0.807 Q1
Počet záznamov: 1