Počet záznamov: 1
Off-state stress investigation of InAlN/GaN HFETs with different AlN buffer layer
Názov Off-state stress investigation of InAlN/GaN HFETs with different AlN buffer layer Autor Florovič M. Spoluautori Kováč Ján Behmenburg H. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Donoval D. Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 97-100. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 
článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2010
Počet záznamov: 1