Počet záznamov: 1
Electrical and structural characterization of AlGaN/GaN field-effect transistors with recessed gate
Názov Electrical and structural characterization of AlGaN/GaN field-effect transistors with recessed gate Autor Mikulics M. Spoluautori Fox A. Marso M. Grützmacher D. Donoval D. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Vacuum. Vol. 86, (2012), p. 754-756 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy SHRESTHA, N.M. - WANG, Y.Y. - LI, Y.M. - CHANG, E.Y. In VACUUM. AUG 2015, vol. 118, SI, p. 59-63. LIU, Y. - WANG, J.Y. - XU, Z. - CAI, J.B. - WANG, M.J. - YU, M. - XIE, B. - WU, W.G. In RARE METALS. JAN 2015, vol. 34, no. 1, p. 1-5. GHAFFARI, M. - OROUJI, A.A. - VALINATAJ, M. In JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY. DEC 2017, vol. 71, no. 12, p. 1027-1037. TANG, L. - ZHANG, H. - YUAN, Y.M. Crystal structures and stabilities of AlxGa1-xN and P-Type AlxGa1-xN with different Al compositions: A density functional study. In VACUUM. ISSN 0042-207X, MAR 2020, vol. 173. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1016/j.vacuum.2011.07.016 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2012 2011 1.317 Q2 0.570 Q2
Počet záznamov: 1