III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide

Počet záznamov: 1

Názov	III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide
Autor	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV ^ORCID
	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	18. Škola vákuovej techniky : Nanosvet s vákuom. S. 27-30. - Bratislava : SVS, 2015 / Haško D. ; Vávra Ivo 1949 ; Veselý M.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2015

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2015

Počet záznamov: 1