Počet záznamov: 1
Pb/Si(111)1x1-H Schottky barrier height
Názov Pb/Si(111)1x1-H Schottky barrier height Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Hricovíni K. Le Lay G. Aristov V.Y. Zdroj.dok. Fizika A. Vol. 4 (1995), p. 191-197 Jazyk dok. eng - angličtina Krajina CV - Kapverdy Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Heslá bariéry Schottky * Pb/Si(111)1x1-H * výskum základný Ohlasy HORVATH, Z.J. VACUUM. ISSN 0042-207X, AUG-OCT 1995, vol. 46, no. 8-10, p. 963-966. THEBE, M.J. - MOLOI, S.J. - MSIMANGA, M. Changes in electrical properties and conduction mechanisms of Pd/n-Si diodes due to niobium dopant. In MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS. ISSN 0921-5107, NOV 2021, vol. 273. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 1995 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 1995
Počet záznamov: 1