Počet záznamov: 1
Role of the V-III ratio and growth rate in decomposition of In0.27Ga0.73P/GaP grown by MOVPE
Názov Role of the V-III ratio and growth rate in decomposition of In0.27Ga0.73P/GaP grown by MOVPE Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Vávra Ivo 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sedláčková K. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Radnóczi G. Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Vol. 298 (2007), p. 76-80. - Amsterdam : Elsevier Science Jazyk dok. eng - angličtina Krajina NL - Holandsko Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy LU, X.F. - LI, L.X. - GUO, X. - REN, J.Q. - XUE, H.T. - TANG, F.L. The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain. In MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS. ISSN 0921-5107, OCT 2022, vol. 284. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2022.115882. PARK, K.W. - PARK, C.Y. - LEE, Y.T. Band gap tunability of molecular beam epitaxy grown lateral composition modulated GaInP structures by controlling V/III flux ratio. In APPLIED PHYSICS LETTERS. ISSN 0003-6951, JUL 30 2012, vol. 101, no. 5. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/1.4739835. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Rok vykazovania 2007 
článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2007 2006 1.809 Q2 1.007 Q1
Počet záznamov: 1