GaAs-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with aluminum oxide gate insulator prepared in situ by MOCVD

Počet záznamov: 1

Názov	GaAs-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with aluminum oxide gate insulator prepared in situ by MOCVD
Autor	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Fox A.
	Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Mikulics M.
	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Semiconductor Science and Technology. Vol. 27, (2012), 115002
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2012
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1088/0268-1242/27/11/115002

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2012	2011	1.723	Q1	1.008	Q1

Počet záznamov: 1