Počet záznamov: 1  

Trap analysis in GaN-based heterostructures using current transients measurements

  1. NázovTrap analysis in GaN-based heterostructures using current transients measurements
    Autor Florovič M.
    Spoluautori Škriniarová Jaroslava

    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Kováč Jaroslav

    Kordoš Peter

    Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 185-188. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2016
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805926
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    N
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2016
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.