Počet záznamov: 1  

Influence of precursor thin-film quality on the structural properties of large-area MoS2 films grown by sulfurization of MoO3 on c-sapphire

  1. NázovInfluence of precursor thin-film quality on the structural properties of large-area MoS2 films grown by sulfurization of MoO3 on c-sapphire
    Autor Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Hutár Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Bodik Michal 1992 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV    SCOPUS    ORCID

    Munnik F.

    Hulman Martin 1967 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Chromik Štefan 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 540, no. 14 (2021), 148240
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaNL - Holandsko
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyYUSUF, Bashir - HASHIM, Md Roslan - PAKHURUDDIN, Mohd Zamir - HALIM, Mohd Mahadi. Effect of solution flow rate on the physical properties of spray pyrolyzed MoO3 thin films as silicon-based heterojunction device. In MICRO AND NANOSTRUCTURES, 2022, vol. 164. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2021.107111.
    ZHU, Zusong - ZHU, Dequan - JIANG, Guisheng - ZHANG, Lihua - ZHAN, Shengbao - WEN, Jun - YOU, Jiancun. Synthesis and characterization of large-sized monolayer MoS2 nanoflakes by sulfurization of exfoliated MoO3 powder. In AIP ADVANCES, 2022, vol. 12, no. 3. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/5.0076711.
    MONDAL, Anibrata - REDDY, Y. Ashok Kumar. Influence of oxygen partial pressure on the performance of MoO3-based ultraviolet photodetectors. In SURFACES AND INTERFACES, 2023, vol. 41, no., pp. ISSN 2468-0230. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.103179.
    WANG, Ze-Miao - YAO, Cheng-Bao - WANG, Li-Yuan - WANG, Xue - JIANG, Cai-Hong - YIN, Hai-Tao. Charge Mobility and Strain Engineering in Two-Step MS-Grown MoS2/Seed Layer Heterointerface and Photo-Excitation Mechanism. In ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2023, vol. 15, no. 13, pp. 17364-17376. ISSN 1944-8244. Dostupné na: https://doi.org/10.1021/acsami.3c00706.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1016/j.apsusc.2020.148240 Shugarov Sergey 1953- SAVASTRO - Astronomický ústav SAV    ORCID

    Katysheva Natalia A.

    Golysheva Polina Yu.

    Gladilina Natalia

    Chochol Drahomír 1947- SAVASTRO - Astronomický ústav SAV    ORCID

    Starr Peter

    Kasai Kiyoshi

    Pickard Roger

    de Miguel Enrique

    Kojiguchi Naoto

    Sugiura Yuki

    Fukushima Daiki

    Yamada Eiji

    Uto Yusuke

    Kamibetsunawa Taku

    Tatsumi Taiki

    Takeda Nao

    Matsumoto Katsura

    Cook Lewis

    Pavlenko Elena

    Babina Julia

    Pit Nikolai

    Antonyuk Oksana I.

    článok

    článok

    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Influence of precursor thin-film quality on the structural properties of large-area MoS2 films grown by sulfurization of MoO3.pdfNeprístupný/archív3.9 MB1Vydavateľská verzia



















    Shugarov Sergey 1953- SAVASTRO - Astronomický ústav SAV
       ORCID




    Chochol Drahomír 1947- SAVASTRO - Astronomický ústav SAV
       ORCID




































Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.