Structural and electrical properties of Ga2O3 transistors grown on 4H-SiC substrates

Počet záznamov: 1

Názov	Structural and electrical properties of Ga2O3 transistors grown on 4H-SiC substrates
Autor	Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kubranská A. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Nádaždy Peter 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 115-118. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok z podujatia
Rok vykazovania	2022

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Structural and electrical properties of Ga2O3 transistors grown on 4H-SiC substrates.pdf	Neprístupný/archív	1.2 MB	0	Vydavateľská verzia

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2022

Počet záznamov: 1