Výsledky vyhľadávania
Názov Optical properties of LEDs with patterned 1D photonic crystal Autor Hronec P. Spoluautori Kuzma A. Škriniarová Jaroslava Kováč J., jr. Benčurová Anna 1966- SAVINFO - Ústav informatiky SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Nemec Pavol 1975- SAVINFO - Ústav informatiky SAV Zdroj.dok. Nanoengineering: Fabrication, Properties, Optics, and Devices XII. E. M. Campo, E. A. Dobisz, L. A. Eldada (eds.), , vol. 9556, art. no. UNSP 95561A. - : SPIE, 2015 Kategória ADMA - Vedecké práce v zahraničných impaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2015 DOI 10.1117/12.2188127 Názov Vertical GaN transistor with semi-insulating channel Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Chvála A. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok z podujatia Rok vykazovania 2023 DOI 10.1002/pssa.202200776 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdf Neprístupný/archív 1 MB 0 Vydavateľská verzia Názov Optimization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures Autor Izsák Tibor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zehetner J. Vojs M. Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0084/20. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2020-2023 APVV 18-0273. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2019-2023 APVV 18-0243. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2019-2022 Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia. P. 169-172. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Optimization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures.pdf Prístupný 511.6 KB 2 Vydavateľská verzia Názov Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 Názov InN: breaking the limits of solid-state electronics Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Adikimenakis A. Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Tsagaraki K. Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Georgakilas A. Zdroj.dok. AIP Advances. Vol. 11 (2021), no. 125325 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1063/5.0066340 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Breaking the limits of solid-state.pdf Prístupný 6.7 MB 3 Vydavateľská verzia Názov GaAs nanomembranes in the high electron mobility transistor technology Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials. Vol. 14 (2021), no. 3461 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.3390/ma14133461 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence GaAs Nanomembranes in the High Electron Mobility Transistor Technology.pdf Prístupný 2.3 MB 5 Vydavateľská verzia Názov Polarization engineering in GaN-based Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai : IMFEDK2021, November 18-19, 2021. P. 1-4. - : IEEE, 2021 Kategória AFA - Publikované pozvané príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Polarization engineering in GaN-based.pdf Neprístupný/archív 1.8 MB 2 Vydavateľská verzia Názov Optimalization of SiCl4 – based reactive ion etching and nickel hard mask for GaN on GaN vertical structures Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 163-166. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Optimalization of SiCl4 – based reactive ion etching and nickel hard mask for GaN on GaN vertical structures.pdf Prístupný 656.5 KB 2 Vydavateľská verzia Názov Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: role of deep levels Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Chvála A. Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68 (2021), no. 2365 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1109/TED.2021.3065893 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Analysis and Modeling of Vertical Current.pdf Neprístupný/archív 1.3 MB 1 Vydavateľská verzia Názov Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in normally-off MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pécz B. Tóth L. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 528 (2020), no. 146824 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.apsusc.2020.146824 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Investigation of Interfaces and Threshold Voltage Instabilities_submitt.pdf Prístupný 1 MB 6 Autorský preprint Investigation of interfaces and threshold voltage.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Vydavateľská verzia