Výsledky vyhľadávania
Názov Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Blaho Michal 1983 Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107290 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1016/j.mssp.2022.107290 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire.pdf Neprístupný/archív 3.9 MB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov III-V semiconductor nanomembranes in device technology Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia APVV 21-0365. vedúci projetu: Gregušová, D. : 2022-2025 VEGA 2/0068/21. vedúci projetu: D. Gregušová : 2021-2024 Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 138-141. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2023 článok
Názov Mg doping of N-polar, in-rich InAlN Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025 Zdroj.dok. Materials. Vol. 16 (2023), no. 2250 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.3390/ma16062250 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Mg Doping of N-Polar, In-Rich InAlN.pdf Prístupný 2.5 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Polarization engineering in GaN-based Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai : IMFEDK2021, November 18-19, 2021. P. 1-4. - : IEEE, 2021 Kategória AFA - Publikované pozvané príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Polarization engineering in GaN-based.pdf Neprístupný/archív 1.8 MB 2 Vydavateľská verzia článok
Názov GaAs nanomembranes in the high electron mobility transistor technology Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials. Vol. 14 (2021), no. 3461 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.3390/ma14133461 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence GaAs Nanomembranes in the High Electron Mobility Transistor Technology.pdf Prístupný 2.3 MB 5 Vydavateľská verzia článok
Názov Investigation of GaN P-N junction processed by Mg ion implantation Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Muška Miroslav Noga Pavol Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. ADEPT 2019 : 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 43-46. - Žilina, Slovakia : University of Žilina, 2019 / Jandura D. ; Šušlik Ľ. ; Urbancová P. ; Kováč J., jr. ; ADEPT 2019 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2019 článok
Názov GaAs nanomembranes in device technology Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. SURFINT - SREN IV 2019 : Extended Abstract Book. P. 48-49. - Slovak Republic : Comenius University Bratislava, 2019 / Brunner Róbert 1954 ; SURFINT - SREN IV : Progress in applied surface, interface and thin film science Kategória AFA - Publikované pozvané príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2019 článok
Názov InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Tóth L. Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Cora Ildikó Fogarassy Zsolt Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Oyobiki T. Pécz B. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (2019), no. SCCCD21 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.7567/1347-4065/ab06b8 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InGaN (GaN) AlGaN GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region.pdf Neprístupný/archív 855.4 KB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMTs Autor Chvála A. Spoluautori Nagy L. Marek J. Priesol J. Donoval D. Šatka A. Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Circuits, Systems and Computers : Special Issue on Design, Technology, and Test of Integrated Circuits and Systems. Vol. 19 (2019), no. 1940009 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1142/S0218126619400097 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Device and Circuit Models of Monolithic InAlN.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations Autor Chvála A. Spoluautori Nagy L. Marek J. Priesol J. Donoval D. Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 65 (2018), p. 2666-2669 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2018 DOI 10.1109/TED.2018.2828464 článok