Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 157  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0000216^"
  1. NázovExperimental analysis of the electric field distribution in semi-insulating GaAs detectors via alpha particles
    Autor Kurucová N.
    Spoluautori Šagátová A.
    Pavlovič M.
    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Škriniarová Jaroslava SAVINFO - Ústav informatiky SAV
    Predanocy Martin 1984- SAVINFO - Ústav informatiky SAV
    Zdroj.dok. Journal of Instrumentation. Vol. 19 (2024), art. no. C03049
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2024
    DOI 10.1088/1748-0221/19/03/C03049
    článok

    článok

  2. NázovEffect of thermal annealing on 4H-SiC radiation detector
    Autor Kotorová S.
    Spoluautori Šagátová A.
    Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 18-0273. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2019-2023
    APVV 18-0243. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2019-2022
    VEGA 2/0084/20. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2020-2023
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings : Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2022), 22–24 June 2022, Štrbské Pleso, Slovak Republic. Vol. 2778 (2023), no. 060004
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1063/5.0136176
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Effect of thermal annealing on 4H-SiC radiation detector.pdfNeprístupný/archív946.3 KB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovSpectrometric performance of 4H-SiC detectors after neutron irradiation
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gurov Y.B.
    Rozov S.V.
    Evseev S.A.
    Bulavin M.V.
    Zamiatin N.I.
    Kopylov Y.A.
    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 18-0273. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2019-2023
    APVV 18-0243. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2019-2022
    VEGA 2/0084/20. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2020-2023
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings : Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2022), 22–24 June 2022, Štrbské Pleso, Slovak Republic. Vol. 2778 (2023), no. 060012
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1063/5.0135875
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Spectrometric performance of 4H-SiC detectors after.pdfNeprístupný/archív1.1 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  4. NázovAmorphous silicon carbide thin films doped with P or B for the photoelectrochemical water splitting devices
    Autor Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sasinková Vlasta 1954- SAVCHEM - Chemický ústav SAV
    Kleinová Angela 1960- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Mikolášek Miroslav
    Kobzev Aexander P.
    Akcia VEGA 2/0084/20. vedúci projektu Zaťko, Bohumír : 2020-2023
    Zdroj.dok. Current Applied Physics. Vol. 34 (2022), pp. 101-106
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    DOI 10.1016/j.cap.2021.11.014
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Amorphous silicon carbide thin films doped with P or B for the.pdfNeprístupný/archív1.2 MB3Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  5. NázovRadiation resistance of SiC detectors after neutron irradiation
    Autor Gurov J.B.
    Spoluautori Evseev S.A.
    Zamyatin N.I.
    Kopylov Y.A.
    Rozov S.V.
    Sandukovsky V.G.
    Streletskaia E.A.
    Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zaťko Bohumír 1973
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Physics of Particles and Nuclei Letters. Vol. 19 (2022), p. 740-743
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1134/S1547477122060115
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Radiation Resistance of SiC Detectors after Neutron Irradiation.pdfNeprístupný/archív520.9 KB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  6. NázovFrom a single silicon carbide detector to pixelated structure for radiation imaging camera
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Šagátová A.
    Gál Norbert 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Novák A.
    Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Polansky Š.
    Jakubek J.
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Instrumentation. Vol. 17 (2022), no. C12005
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    DOI 10.1088/1748-0221/17/12/C12005
    článok

    článok

  7. NázovStudy of the pulse height defect of 4H-SiC Schottky barrier detectors in heavy ion detection
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šagátová A.
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ivanov O.M.
    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gurov J.B.
    Skuratov V.A.
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 2411 (2021), no. 070007
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1063/5.0067353
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Study of the Pulse Height Defect of 4H-SiC Schottky Barrier.pdfPrístupný1.1 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  8. NázovHigh-energy electron irradiation of semiconductor detectors and radiation hardness comparison
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Šagátová A.
    Sedlačková K.
    Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Progress in applied surface, interface and thin film science – solar renewable energy news 2021. SURFINT – SREN VII : extended abstract book. P. 77-78. - Bratislava : Comenius Univ., 2021 / Brunner Róbert 1954
    KategóriaAFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    Rok vykazovania2021
    článok

    článok

  9. NázovStudy of Schottky barrier detectors based on a high quality 4H-SiC epitaxial layer with different thickness
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šagátová A.
    Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Halahovets Yuriy 1982- SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Rozov S.V.
    Sandukovskij V.G.
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 536, no. 14 (2021), no. 147801
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1016/j.apsusc.2020.147801
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Study of Schottky barrier detectors based on a high quality 4H SiC epitaxial.pdfNeprístupný/archív583.7 KB2Vydavateľská verzia
    Study of Schottky barrier detectors based on a high quality 4H SiC epitaxial.pdfPrístupný583.7 KB1Autorský preprint
    článok

    článok

  10. NázovInfluence of SI GaAs base material on detector radiation hardness against high-energy electrons
    Autor Šagátová A.
    Spoluautori Novák A.
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Progress in applied surface, interface and thin film science – solar renewable energy news 2021. SURFINT – SREN VII : extended abstract book. P. 67-68. - Bratislava : Comenius Univ., 2021 / Brunner Róbert 1954
    KategóriaAFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    Rok vykazovania2021
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.