Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 3  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0211406^"
  1. NázovGrowth evolution of N-polar Indium-rich InAlN layer on c-sapphire via strain relaxation by ultrathin AlON interlayer
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Minj A.
    Chauvat M.-P.
    Ruterana P.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 502 (2020), no. 144086
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    DOI 10.1016/j.apsusc.2019.144086
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Radiation hardness limits in gamma spectrometry of semi-insulating GaAs.pdfNeprístupný/archív4 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovGeneration of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures
    Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Veselý M.
    Bouazzaoui F.
    Chauvat M.-P.
    Ruterana P.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021
    Zdroj.dok. Applied Physics Express. Vol. 12 (2019), no. 014001
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.7567/1882-0786/aaef41
    URLURL link
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Generation of hole gas in non-inverted InAl.pdfNeprístupný/archív605.7 KB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovEvidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chauvat M.-P.
    Minj A.
    Gucmann Filip 1987
    Vančo L.
    Kováč Jaroslav Jr.
    Kret S.
    Ruterana P.
    Kuball M.
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1063/1.5079756
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Evidence of relationship between strain and In.pdfNeprístupný/archív2.3 MB0Vydavateľská verzia
    Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdfPrístupný1.6 MB10Postprint
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.