Výsledky vyhľadávania
Názov Degradation of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors in the current-controlled off-state breakdown Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Cho E.-M. Meneghesso G. Würfl H.-J. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 115 (2014), 164504 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1063/1.4873301 
článok
Názov Impact of GaN cap on charges in Al2O3/(GaN/)AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures analyzed by means of capacitance measurements and simulations Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Cho E.-M. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 116, (2014), 104501 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1063/1.4894703 článok
Názov Bulk and interface trapping in the gate dielectric of GaN based metal–oxide–semiconductor high-electron mobility transistors Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Valik L. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Cho E.-M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 102 (2013), no. 243509 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.1063/1.4811754 článok
Názov Ni/Au-Al2O3 gate stack prepared by low-temperature ALD and lift-off for MOSHEMTs Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Cho E.-M. Hilt O. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Microelectronic Engineering. Vol. 112, (2013), p. 204-207 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.1016/j.mee.2013.03.120 článok