Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 4  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0156516^"
  1. NázovImprovements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Carlin J.-F.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Ahn S.-I.
    Detz H.
    Klang P.
    Andrews A.M.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Toth L.
    Pécz B.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1063/1.3666669
    článok

    článok

  2. NázovProposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Škriniarová Jaroslava
    Kováč Ján
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1109/TED.2010.2055292
    článok

    článok

  3. NázovRole of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquire Ch.
    De Jaeger J.-C.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  4. NázovUltrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Carlin J.-F.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gonschorek M.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. . Vol. 30 (2009), p. 1030-1032 IEEE Electron Devices Letters
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.