Výsledky vyhľadávania
Názov Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Basnar B. Schrenk W. Ahn S.-I. Detz H. Klang P. Andrews A.M. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Toth L. Pécz B. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1063/1.3666669 
článok
Názov Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Kováč Ján Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1109/TED.2010.2055292 článok
Názov Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquire Ch. De Jaeger J.-C. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 článok
Názov Off-state breakdown in InAlN/GaN HEMTs Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 6, (2009), p. S925-S928 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 článok
Názov Analysis of degradation mechanisms in lattice-matched InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pozzovivo G. Ostermaier C. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 106, (2009), 124503 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 článok
- Názov
Názov Technology and performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs with gate insulation and current collapse suppression using ZrO2 or HfO2 Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pozzovivo G. Abermann S. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Bertagnolli E. Strasser G. Pogany D. Zdroj.dok. . Vol. 55, (2008), p. 937-941 IEEE Transactions on Electron Devices Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2008 Buffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistorsčlánok
Názov Gate insulation and drain current saturation mechanism in InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors Autor Pozzovivo G. Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Golka S. Schrenk W. Strasser G. Pogany D. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Zdroj.dok. . Vol. 91 (2007), no. 043509 Applied Physics Letters Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2007 článok