Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 24  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0001976^"
  1. NázovReduction of skin effect losses in double-level-T-gate structure
    Autor Mikulics M.
    Spoluautori Hardtdegen H.
    Arango Y.C.
    Adam Roman
    Fox A.
    Grützmacher D.
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stanček S.
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sofer Z.
    Juul L.
    Marso M.
    Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 105, (2014), 232102
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1063/1.4903468
    článok

    článok

  2. NázovNovel double-level-gate technology
    Autor Fox A.
    Spoluautori Mikulics M.
    Hardtdegen H.
    Trellenkamp St.
    Arango Y.C.
    Grützmacher D.
    Sofer Z.
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Marso M.
    Zdroj.dok. ASDAM 2014 : The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 89-92. - : IEEE, 2014 / Breza Juraj ; Donoval Daniel ; Vavrinský E.
    KategóriaAFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2014
    článok

    článok

  3. NázovResidual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements
    Autor Mikulics M.
    Spoluautori Hartdegen H.
    Winden A.
    Fox A.
    Marso M.
    Sofer Z.
    Luth H.
    Grützmacher D.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Physica status solidi C. Current topics in solid state physics. Vol. 9, (2012), p. 911-914
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1002/pssc.201100408
    článok

    článok

  4. NázovGaAs-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with aluminum oxide gate insulator prepared in situ by MOCVD
    Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Fox A.
    Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mikulics M.
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 27, (2012), 115002
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1088/0268-1242/27/11/115002
    článok

    článok

  5. NázovTowards future III-nitride based THz OEICs in the UV range
    Autor Fox A.
    Spoluautori Mikulics M.
    Winden A.
    Hartdegen H.
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Adam Roman
    Sobolewski R.
    Marso M.
    Grützmacher D.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 191-194. - Piscataway : IEEE, 2012 / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012
    KategóriaAFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2012
    článok

    článok

  6. NázovElectrical and structural characterization of AlGaN/GaN field-effect transistors with recessed gate
    Autor Mikulics M.
    Spoluautori Fox A.
    Marso M.
    Grützmacher D.
    Donoval D.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Vacuum. Vol. 86, (2012), p. 754-756
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1016/j.vacuum.2011.07.016
    článok

    článok

  7. NázovRF performance of InAlN/GaN HFETs and MOSHFETs with fT x LG up to 21 GHz • µm
    Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Mikulics M.
    Fox A.
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. . Vol. 31, (2010), p. 180-182 IEEE Electron Devices Letters
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1109/LED.2009.2038078
    článok

    článok

  8. NázovComparison of AlGaN/GaN HFETs and MOSHFETs in prospect of oscillator design
    Autor Fox A.
    Spoluautori Mikulics M.
    Strang B.
    Marso M.
    Grützmacher D.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 159-162. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  9. NázovCharacterization of AlGaN/GaN MISHFETs on a Si substrate by static and high-frequency measurements
    Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eickelkamp M.
    Fox A.
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vescan A.
    Grützmacher D.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 24, (2009), 075014
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok

  10. NázovImproved high-frequency performance of Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs compared to AlGaN/GaN HFETs
    Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Fox A.
    Eickelkamp M.
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Grützmacher D.
    Vescan A.
    Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Harmatha L. ; Müllerová J. ; Jamnický I. . P. 25-28 APCOM 2009 : proceedings of the 15th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter, held in KRÚ Bystrá, Liptovský Ján, Slovak Republic, June 24-26, 2009. - Žilina : University of Žilina, 2009
    KategóriaAED - Vedecké práce v domácich recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.