Výsledky vyhľadávania
- Názov
Názov Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Basnar B. Schrenk W. Ahn S.-I. Detz H. Klang P. Andrews A.M. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Toth L. Pécz B. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1063/1.3666669 InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyondAutor
článok
Názov Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Kováč Ján Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1109/TED.2010.2055292 článok
- Názov
Názov Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Schmid M. Tóth L. Pécz B. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 263515 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1063/1.3458700 Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTsAutorKuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAVSpoluautoričlánok
Názov InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond Autor Kohn E. Spoluautori Alomari M. Denisenko A. Dipalo M. Maier D. Medjoub F. Pietzka C. Delage S. di Forte Poisson M.A. Morvan E. Sarazin N. Jacquet J.-C. Dua C. Carlin J.-F. Grandjean N. Py M.A. Gonschorek M. Kuzmík Ján 1960 Pogany D. Pozzovivo G. Ostermaier C. Toth L. Pécz B. De Jaeger J.-C. Gaquiere C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Georgakilas A. Iliopoulos E. Konstantinidis G. Giessen C. Heuken M. Schineller B. Zdroj.dok. . P. 173-176 2009 IEEE International Electron Devices Meeting : proceedings of a meeting held 7-9 December 2009, Baltimore, Maryland, USA. - : IEEE, 2010 Kategória AEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 článok
Názov Characterization of plasma-induced damage of selectively recessed GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures using SiCl4 and SF6 Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Vincze A. Tóth L. Pécz B. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 49, (2010), 116506 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1143/JJAP.49.116506 článok
Názov Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquire Ch. De Jaeger J.-C. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 článok
- Názov
Názov Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Basnar B. Schrenk W. Douvry Y. Gaquiere C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gonschorek M. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . Vol. 30 (2009), p. 1030-1032 IEEE Electron Devices Letters Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 Off-state breakdown in InAlN/GaN HEMTsAutorKuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAVčlánok
Názov Off-state breakdown in InAlN/GaN HEMTs Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 6, (2009), p. S925-S928 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 článok
Názov Analysis of degradation mechanisms in lattice-matched InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pozzovivo G. Ostermaier C. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 106, (2009), 124503 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 článok
- Názov
Názov Technology and performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs with gate insulation and current collapse suppression using ZrO2 or HfO2 Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pozzovivo G. Abermann S. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Bertagnolli E. Strasser G. Pogany D. Zdroj.dok. . Vol. 55, (2008), p. 937-941 IEEE Transactions on Electron Devices Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2008 Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate insulation grown by CVDAutorčlánok