Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 18  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0001972^"

  1. 1.Buffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors

    NázovBuffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vitanov S.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Ostermaier C.
    Alexewicz A.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Grandjean N.
    Delage S.
    Palankovski V.
    Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1143/JJAP.51.054102
    článok

    článok

  2. 2.Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier

    NázovProposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Škriniarová Jaroslava
    Kováč Ján
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1109/TED.2010.2055292
    článok

    článok

  3. 3.Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs

    NázovRole of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquire Ch.
    De Jaeger J.-C.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  4. 4.Off-state breakdown in InAlN/GaN HEMTs

    NázovOff-state breakdown in InAlN/GaN HEMTs
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 6, (2009), p. S925-S928
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok

  5. 5.Analysis of degradation mechanisms in lattice-matched InAlN/GaN high-electron-mobility transistors

    NázovAnalysis of degradation mechanisms in lattice-matched InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Ostermaier C.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 106, (2009), 124503
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok

  6. 6.New numerical and experimental analysis tool for ESD devices by means of the transient interferometric technique

    NázovNew numerical and experimental analysis tool for ESD devices by means of the transient interferometric technique
    Autor Reggiani S.
    Spoluautori Gnani E.
    Rudan M.
    Baccarani G.
    Bychikhin S.
    Kuzmík Ján 1960
    Pogany D.
    Gornik E.
    Denison M.
    Jensen N.
    Groos G.
    Stecher M.
    Zdroj.dok. . Vol. 26, (2005), p. 916-918 IEEE Electron Devices Letters
    KategóriaADC
    Rok vykazovania2006
    článok

    článok

  7. 7.Predictive device simulation for ESD protection structures validated with transient interferometric thermal - mapping experiments

    NázovPredictive device simulation for ESD protection structures validated with transient interferometric thermal - mapping experiments
    Autor Reggiani S.
    Spoluautori Gnani E.
    Rudan M.
    Baccarani G.
    Bychikhin S.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pogany D.
    Gornik E.
    Denison M.
    Jensen N.
    Groos G.
    Stecher M.
    Zdroj.dok. . P. 411-414 Proceedings of the ESSDERC ’2005. - Piscataway : IEEE, 2005 / Ghibaudo G.
    KategóriaAFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2005
    článok

    článok

  8. 8.Electrical overstress in AlGaN/GaN HEMTs: study of degradation processes

    NázovElectrical overstress in AlGaN/GaN HEMTs: study of degradation processes
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pogany D.
    Gornik E.
    Javorka P.
    Kordoš Peter
    Zdroj.dok. Solid-State Electronics. Vol. 48, (2004), p. 271-276.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2004
    článok

    článok

  9. 9.Electrostatic discharge effects in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

    NázovElectrostatic discharge effects in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pogany D. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gornik E.
    Javorka P.
    Kordoš Peter
    Zdroj.dok. . Vol. 83 (2003), p. 4655-4657 Applied Physics Letters. - : American Institute of Physics
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2003
    článok

    článok

  10. 10.Transient interferometric mapping of temperature and free carriers in semiconductor devices

    NázovTransient interferometric mapping of temperature and free carriers in semiconductor devices
    Autor Pogany D. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Bychikhin S.
    Dubec V.
    Blaho M.
    Litzenberger M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pflugl C.
    Strasser G.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. . P. 666-667 2003 IEEE LEOS Annual Meeting Conference Proceeding. - Piscataway : IEEE, 2003
    KategóriaAEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2003
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko