Výsledky vyhľadávania
Názov Technology of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Nagy L. Chvála A. Marek J. Carlin J.-F. Grandjean N. Konstantinidis G. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 31 (2016), no. 065011 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1088/0268-1242/31/6/065011 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Technology of integrated self-aligned.pdf Neprístupný/archív 1.1 MB 1 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Hot-electron-related degradation in InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Killat N. Palankovski V. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 2793-2801 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1109/TED.2014.2332235 článok
Názov Schottky-barrier normally off GaN/InAlN/AlN/GaN HEMT with selectively etched access region Autor Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Palankovski V. Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Electron Device Letters. Vol. 34, (2013), p. 432-434 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.1109/LED.2013.2241388 článok
Názov Defect states characterization of non-annealed and annealed Zr2/InAlN/GaN structures by capacitance measurements Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 102, (2013), 063502 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.1063/1.4792060 článok
Názov Zr2/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with InAlN barrier of different compositions Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 52, (2013), 08JN07 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 článok
Názov Buffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Vitanov S. Dua C. Carlin J.-F. Ostermaier C. Alexewicz A. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Grandjean N. Delage S. Palankovski V. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1143/JJAP.51.054102 článok
Názov Early stage degradation of InAlN/GaN HEMTs during electrical stress Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Killat N. Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 7-10. - Piscataway : IEEE, 2012 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012 Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2012 článok
Názov Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Basnar B. Schrenk W. Ahn S.-I. Detz H. Klang P. Andrews A.M. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Toth L. Pécz B. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1063/1.3666669 článok
Názov Electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3, ZrO2, and GdScO3 gate dielectrics Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Pogany D. Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 29 (2011), 01A808 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 DOI 10.1116/1.3521506 článok
Názov Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Kováč Ján Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1109/TED.2010.2055292 článok