Výsledky vyhľadávania
Názov Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaN/GaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer Autor Mikulics M. Spoluautori Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sofer Z. Mayer J. Hartdegen H. Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 36 (2021), no. 095040 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1088/1361-6641/ac1a28 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaNGaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer.pdf Prístupný 2.7 MB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov GaAs nanowhiskers for femtosecond photodetectors and THz emitters Autor Mikulics M. Spoluautori Zhang J. Sobolewski R. Adam Roman Juul L. Marso M. Winden A. Hartdegen H. Grützmacher D. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 71-74. - Piscataway : IEEE, 2012 / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012 Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2012 článok
Názov Residual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements Autor Mikulics M. Spoluautori Hartdegen H. Winden A. Fox A. Marso M. Sofer Z. Luth H. Grützmacher D. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica status solidi C. Current topics in solid state physics. Vol. 9, (2012), p. 911-914 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1002/pssc.201100408 článok
Názov Non-uniform distribution of induced strain in gate recessed AlGaN/GaN structure evaluated by micro PL measurements Autor Mikulics M. Spoluautori Hartdegen H. Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sofer Z. Šimek P. Trellenkamp St. Grützmacher D. Luth H. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Marso M. Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 27 (2012), no. 105008 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1088/0268-1242/27/10/105008 článok
Názov Towards future III-nitride based THz OEICs in the UV range Autor Fox A. Spoluautori Mikulics M. Winden A. Hartdegen H. Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Adam Roman Sobolewski R. Marso M. Grützmacher D. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 191-194. - Piscataway : IEEE, 2012 / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012 Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2012 článok
Názov Smooth GaN recess wet photoelectrochemical etching Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hartdegen H. Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kostič Ivan 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV Greguš Ján Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . P. 199-202 ASDAM 2004 : conference proceeding of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice Castle, Slovakia October 17-21, 2004. - Piscataway : IEEE, 2004 / Osvald Jozef 1953 ; Haščík Štefan 1956 Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2004 článok
Názov MOCVD growth of GaAs, AlAs an InP using H2/N2 ambient mixturees Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hartdegen H. Ungermanns CH. Zdroj.dok. Workshop Booklet from 6th European Workshop on MOVPE and related growth techniques. P. D-12. - Gent, 1995 Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách článok
Názov A new approach towards low-pressure MOVPE of AlGaAs using tritlhylgallium and dimethylethylaminealane Autor Hartdegen H. Spoluautori Ungermanns CH. Holfelder M. Raafat T. Carius R. Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Vol. 145, (1994), p. 478 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 1994 článok