Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 158  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0000027^"
  1. NázovGrowth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire
    Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Blaho Michal 1983
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107290
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1016/j.mssp.2022.107290
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire.pdfNeprístupný/archív3.9 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovInfluence of thin Ga2Se3 interlayer on the properties of GaP/PtSe2 heterojunction
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč J., jr. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč J. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 24-27. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    článok

    článok

  3. NázovElectron transport properties in thin InN layers grown on InAlN
    Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 155 (2023), no. 107250
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1016/j.mssp.2022.107250
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Electron transport properties in thin InN layers grown on InAlN.pdfNeprístupný/archív2 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  4. NázovVertical GaN transistor with semi-insulating channel
    Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hashizume T.
    Chvála A.
    Šatka A.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1002/pssa.202200776
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdfNeprístupný/archív1 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  5. NázovMg doping of N-polar, in-rich InAlN
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vincze A.
    Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025
    Zdroj.dok. Materials. Vol. 16 (2023), no. 2250
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.3390/ma16062250
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Mg Doping of N-Polar, In-Rich InAlN.pdfPrístupný2.5 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  6. NázovMOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav
    Kováč Jaroslav Jr.
    Akcia APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia. P. 21-24. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč Jaroslav Jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2022
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide.pdfPrístupný569.3 KB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  7. NázovInvestigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Kováč Jaroslav
    Akcia APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    Zdroj.dok. AIP Advances. Vol. 12 (2022), no. 065004
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    DOI 10.1063/5.0089842
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Investigation of a nanostructured GaP.pdfPrístupný4.6 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  8. NázovIn(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD
    Autor Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025
    Zdroj.dok. Nanomaterials-Basel. Vol. 12 (2022), no. 3496
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    DOI 10.3390/nano12193496
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.pdfPrístupný5.4 MB5Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  9. NázovInterface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN
    Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2022
    článok

    článok

  10. NázovMg doping of InAlN layers
    Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Gregor M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 147-150. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2021
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Mg doping of InAlN layers.pdfPrístupný769.2 KB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.