Výsledky vyhľadávania
Názov Characterization of AlGaN/GaN MOSHFETs with Al2O3 as gate oxide Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Heidelberg G. Marso M. Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 4, (2007), p. 2720-2723 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2007 
článok
Názov RF characterization and modeling of AlGaN/GaN based HFETs and MOSHFETs Autor Fox A. Spoluautori Marso M. Heidelberg G. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2006 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 109-112. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 článok
Názov Comparative study on unpassivated and passivated AlGaN/GaN HFETs and MOSHEFTs Autor Heidelberg G. Spoluautori Bernát J. Fox A. Marso M. Lüth Hans Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica Status Solidi A. Vol. 203, (2006), p. 1876-1881, Applied Research Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2006 článok
Názov Comparison of AlGaN/GaN MSM varactor diodes based on HFET and MOSHFET layer structures Autor Marso M. Spoluautori Fox A. Heidelberg G. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Lüth Hans Zdroj.dok. ASDAM 2006 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 229-232. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 článok
Názov Technology related issues regarding fabrication of AlGaN/GaN-based MOSHFETs with GdScO3 as dielectric Autor Heidelberg G. Spoluautori Roeckerath M. Steins R. Stefaniak M. Fox A. Schubert J. Kaluza N. Marso M. Lüth Hans Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2006 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 241-244. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 Scheffers Brett Meerbeek Koenraad van Aartsma Peter Abdaladze Otari Abedi Mehdi Aerts Rien Ahmadian Negar Ahrends Antje Alatalo Juha Alexander Jake M. Allonsius Camille Nina Altman Jan Ammann Christof Andres Christian Andrews Christopher Ardo Jonas Arriga Nicola Arzac Alberto Aschero Valeria Assis Rafael L. Assmann Jakob Johann Bader Maaike Y. Bahalkeh Khadijeh Barančok Peter 1962 SAVKREKO - Ústav krajinnej ekológie SAV Barrio Isabel C. Barros Agustina Barthel Matti článok
- NázovGlobal maps of soil temperaturePreklad názvuGlobálne mapy teploty pôdyAutorSpoluautoriBarančok Peter 1962 SAVKREKO - Ústav krajinnej ekológie SAV
článok
- NázovGlobal maps of soil temperaturePreklad názvuGlobálne mapy teploty pôdyAutorSpoluautoriBarančok Peter 1962 SAVKREKO - Ústav krajinnej ekológie SAV
článok
Názov SiO2/AlGaN/GaN MOSHFET with 0.7 µm gate-length and fmax/fT of 40/24 GHz Autor Bernát J. Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Heidelberg G. Fox A. Marso M. Luth H. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Electronics Letters. Vol. 41, (2005), p. 667-668 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2005 článok
Názov Performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors for high-frequency and high-power electronics Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Bernát J. Heidelberg G. Marso M. Zdroj.dok. Advances in Electrical and Electronic Engineering. Vol. 4 (2005), p. 67-70 Kategória ADF Rok vykazovania 2005 článok
článok