Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 10  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0003246^"
  1. NázovElectrical properties of thermally oxidized AlInN/AlN/GaN-based metal oxide semiconductor hetero field effect transistors
    Autor Eickelkamp M.
    Spoluautori Weingarten M.
    Khoshroo L.R.
    Ketteniss N.
    Behmenburg H.
    Heuken M.
    Donoval D.
    Chvála A.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kalisch H.
    Vescan A.
    Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 110, (2011), 084501
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2011
    DOI 10.1063/1.3647589
    článok

    článok

  2. NázovInAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond
    Autor Kohn E.
    Spoluautori Alomari M.
    Denisenko A.
    Dipalo M.
    Maier D.
    Medjoub F.
    Pietzka C.
    Delage S.
    di Forte Poisson M.A.
    Morvan E.
    Sarazin N.
    Jacquet J.-C.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Py M.A.
    Gonschorek M.
    Kuzmík Ján 1960
    Pogany D.
    Pozzovivo G.
    Ostermaier C.
    Toth L.
    Pécz B.
    De Jaeger J.-C.
    Gaquiere C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Georgakilas A.
    Iliopoulos E.
    Konstantinidis G.
    Giessen C.
    Heuken M.
    Schineller B.
    Zdroj.dok. . P. 173-176 2009 IEEE International Electron Devices Meeting : proceedings of a meeting held 7-9 December 2009, Baltimore, Maryland, USA. - : IEEE, 2010
    KategóriaAEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  3. NázovLow resistance ohmic contacts annealed at 600 °C on a InAlN/GaN heterostructure with SiCl4-reactive ion etching surface treatment
    Autor Pozzovivo G.
    Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Giesen C.
    Heuken M.
    Liday J.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 6, (2009), p. S999-S1002
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok

  4. NázovAtomic layer deposition of high-k oxides on InAlN/GaN-based materials
    Autor Abermann S.
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Bethge O.
    Henkel C.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Giesen C.
    Heuken M.
    Kohn E.
    Alomari M.
    Bertagnolli E.
    Zdroj.dok. ECS Transactions. Vol. 25, (2009), p. 123-129
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  5. NázovLow resistance ohmic contacts annealed at 600 C on InAlN/GaN heterostructure with SiCl4 reactive ion etching treatment
    Autor Pozzovivo G.
    Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Liday J.
    Giesen C.
    Heuken M.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Zdroj.dok. . P. 573 International Workshop on Nitride Semiconductors : book of abtracts. - Montreaux, 2008
    KategóriaAFG - Abstrakty príspevkov zo zahraničných konferencií
    Rok vykazovania2008
    článok

    článok

  6. NázovBackgating, high-current and breakdown characterisation of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Blaho M.
    Pogany D. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gornik E.
    Alam A.
    Dikme Y.
    Heuken M.
    Javorka P.
    Marso M.
    Kordoš Peter
    Zdroj.dok. / Franca J. ; Freitas P. . P. 319-321 ESSDERC 2003 : 33rd European Solid-State Device Research Conference. - Estoril, 2003
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2003
    článok

    článok

  7. NázovMaterial and device issues of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates
    Autor Javorka P.
    Spoluautori Alam A.
    Marso M.
    Wolter M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fox A.
    Heuken M.
    Kordoš Peter
    Zdroj.dok. . Vol. 34 (2003), p. 435-437 Microelectronics Journal
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2003
    článok

    článok

  8. NázovDetermination of channel temperature in AlGaN/GaN HEMTs grown on sapphire and silicon substrates using DC characterization method
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Javorka P.
    Alam A.
    Marso M.
    Heuken M.
    Kordoš Peter
    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 49 (2002), p. 1496-1498
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2002
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Determination of channel temperature in AlGaN.pdfNeprístupný/archív203.8 KB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  9. NázovInvestigation of self-heating effects in AlGaN/GaN HEMTs
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Javorka P.
    Alam A.
    Marso M.
    Heuken M.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. EDMO 2001 : International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications. P. 21. - Vienna : Technical University of Vienna, 2001
    KategóriaAEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2001
    článok

    článok

  10. NázovMaterial and device issues of GaN-based HEMTs
    Autor Kordoš Peter
    Spoluautori Alam A.
    Betko Július SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chow P.P.
    Heuken M.
    Javorka P.
    Kocan M.
    Marso M.
    Morvic Marian SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hove J. M. van
    Zdroj.dok. EDMO 2000 : 8th IEEE International Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications. P. 61-66. - New York : IEEE PRESS, 2000
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2000
    URLURL link
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.