Výsledky vyhľadávania
Názov Gate reliability investigation in normally-off p-type-gan cap/AlGaN/GaN HEMTs under forward bias stress Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hilt O. Bahat-Treidel E. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Electron Device Letters. Vol. 37 (2016), p. 385 - 388 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1109/LED.2016.2535133 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Gate Reliability Investigation in Normally-Off p.pdf Neprístupný/archív 751.9 KB 0 Vydavateľská verzia Názov Thermal management in high-power GaN HEMTs: investigation of selected thermal issues by 3-D simulation approach Autor Molnár M. Spoluautori Donoval D. Chvála A. Marek M. Príbytný P. Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hilt O. Brunner F. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Proceedings of the 3th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : ADEPT 2015 : held in Štrbské Pleso, High Tatras, Slovakia, June 1-4 2015. P. 136-139. - Žilina : Univ. Žilina, 2015 Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2015 Názov Investigation of gate-diode degradation in normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hilt O. Bahat-Treidel E. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 107 (2015), 193506 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2015 DOI 10.1063/1.4935223 Názov Impact of the buffer structure on trapping characteristics of normally-off p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs for power switching applications Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kotara P. Zhytnytska R. Brunner F. Hilt O. Bahat-Treidel E. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2014 : The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 121-124. - : IEEE, 2014 / Breza Juraj ; Donoval Daniel ; Vavrinský E. Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2014 Názov Self-heating in GaN transistors designed for high-power operation Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Molnár M. Donoval D. Fleury C. Pogany D. Strasser G. Hilt O. Brunner F. Würfl H.-J. Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 3429-3434 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1109/TED.2014.2350516 Atomic layer deposition grown metal-insulator-metal capacitors with RuO2 electrodes and Al-doped rutile TiO2 dielectric layerNázov Ni/Au-Al2O3 gate stack prepared by low-temperature ALD and lift-off for MOSHEMTs Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Cho E.-M. Hilt O. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Microelectronic Engineering. Vol. 112, (2013), p. 204-207 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.1016/j.mee.2013.03.120 Temperature dependence of the resistance switching effect studied on the metal/YBa2Cu3O6+x planar junctionsAutor