Výsledky vyhľadávania
Názov 3D resistive RAM cell design for high-density storage class memory - a review Autor Hudec Boris Spoluautori Hsu C.-W. Wang I-T. Lai W.-L. Chang C.-C. Wang T. Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ho C.-H. Lin C.-H. Hou T.-H. Zdroj.dok. Science China Information Sciences. Vol. 59 (2016), art. no. 061403 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1007/s11432-016-5566-0 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence 3D resistive RAM cell design for high-density storage class memory - a review.pdf Neprístupný/archív 3.8 MB 2 Vydavateľská verzia 
článok