Výsledky vyhľadávania
Názov Electrical properties of Al0,3Ga0,7N/GaN heterostructure field effect transistor Autor Florovič M. Spoluautori Kováč Ján Škriniarová Jaroslava Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Donoval D. Kinder R. Tomáška M. Zdroj.dok. / Vajda J. ; Weiss M. APCOM 2010 : proceedings of the 16th International Conference on Applied Physics of Condensed matter. P. 205-209. - Bratislava : Slovenská technická univerzita v Bratislave, 2010 Kategória AED - Vedecké práce v domácich recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 
článok