Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 3  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0236028^"
  1. NázovHighly homogeneous 2D/3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2 on ion implantation doped 4H-SiC
    Autor Giannazzo F.
    Spoluautori Panasci S.E.
    Schilirò E.
    Fiorenza P.
    Greco G.
    Roccaforte F.
    Cannas M.
    Agnello S.
    Koos A.
    Pécz B.
    Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chromik Štefan 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. . Vol. 10 (2023), no. 2201502 Advanced Materials Interfaces
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1002/admi.202201502
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Highly homogeneous 2D 3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2.pdfPrístupný4.3 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovLarge-area MoS2 films grown on sapphire and GaN substrates by pulsed laser deposition
    Autor Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Chromik Štefan 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pribusová Slušná Lenka SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Talacko Marcel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregor M.
    Pécz B.
    Koos A.
    Greco G.
    Panasci S.E.
    Fiorenza P.
    Roccaforte F.
    Cordier Y.
    Frayssinet E.
    Giannazzo F.
    Akcia VEGA 2/0140/22. vedúci projetu: M. Španková : 2022-2025
    FLAG-ERA III/2019/884/ETMOS. vedúci projetu: Š. Chromik : 2020-2023
    APVV 19-0303. vedúci projetu: Š. Chromik : 2020-2023
    Zdroj.dok. Nanomaterials-Basel. Vol. 13 (2023), no. 2837
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.3390/nano13212837
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Large-Area MoS2 Films Grown on Sapphire and GaN Substrates by Pulsed Laser Deposition.pdfPrístupný6.3 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovStructural properties of few monolayer thick MoS2 films prepared on GaN and sapphire substrates
    Autor Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pribusová Slušná Lenka SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregor M.
    Pécz B.
    Koos A.
    Giannazzo F.
    Cordier Y.
    Frayssinet E.
    Chromik Štefan 1949
    Zdroj.dok. Proceedings of 12th solid state surfaces and interfaces : Extended Abstract Book. P. 55-56. - Bratislava : Comenius University, 2022 / Brunner Róbert 1954 ; Bačová Silvia 1975 ; Solid State Surfaces and Interfaces
    KategóriaAFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupuabstrakt z podujatia
    Rok vykazovania2022
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.