Výsledky vyhľadávania
Názov Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaN/GaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer Autor Mikulics M. Spoluautori Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sofer Z. Mayer J. Hartdegen H. Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 36 (2021), no. 095040 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1088/1361-6641/ac1a28 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaNGaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer.pdf Prístupný 2.7 MB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Conditioning nano-LEDs in arrays by laser-micro-annealing: the key to their performance improvement Autor Mikulics M. Spoluautori Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sofer Z. Winden A. Trellenkamp St. Moers J. Mayer J. Hardtdegen H. Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 118 (2021), no. 04310 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1063/5.0038070 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Conditioning nano-LEDs in arrays by laser-micro-annealing.pdf Neprístupný/archív 1.8 MB 4 Vydavateľská verzia článok
Názov Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Matys M. Yatabe Z. Kordoš Peter Hashizume T. Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 32 (2017), no. 045018 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1088/1361-6641/aa5fcb Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaNGaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2.pdf Neprístupný/archív 1.5 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Properties of InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors modified by surface treatment Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Greguš J. Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 395 (2017), p. 140-144 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1016/j.apsusc.2016.07.019 článok
Názov Temperature-induced instability of the threshold voltage in GaN-based heterostructure field-effect transistors Autor Florovič M. Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Kordoš Peter Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 32 (2017), art. no. 025017 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1088/1361-6641/aa5253 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Temperature-induced instability of the threshold voltage in GaN-based heterostructure field-effect transistors.pdf Neprístupný/archív 915.3 KB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Direct electro-optical pumping for hybrid CdSe nanocrystal/III-nitride based nano-light-emitting diodes Autor Mikulics M. Spoluautori Arango Y.C. Winden A. Adam Roman Hardtdegen A. Grützmacher D. Plinski E. Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter Moonshiram A. Marso M. Sofer Z. Luth H. Hardtdegen H. Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 108 (2016), art. no. 061107 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1063/1.4941923 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Direct electro optical pumping for hybrid CdSe nanocrystal.pdf Neprístupný/archív 3 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Trap analysis in GaN-based heterostructures using current transients measurements Autor Florovič M. Spoluautori Škriniarová Jaroslava Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Kordoš Peter Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 185-188. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805926 článok
Názov III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Liday J. Vogrinčič P. Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 33, (2015), 01A111, Microelectronics and Nanometer Structures Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2015 DOI 10.1116/1.4905938 článok
Názov Low- and high-frequency capacitance of aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures with interface traps Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 31, (2015), p. 525-529 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2015 DOI 10.1016/j.mssp.2014.11.052 článok
Názov Extraction of interface trap density of Al2O3/AlGaN/GaN MIS heterostructure capacitance Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica status solidi B. Basic solid state physics. Vol. 252 (2015), p. 996-1000 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2015 DOI 10.1002/pssb.201451468 článok