Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 11  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0173950^"
  1. NázovHeteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices : Special Collection: Gallium Oxide Materials and Devices
    Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zheng X
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023
    ITMS2014+: 313021T081. Vybudovanie Centra pre využitie pokročilých materiálov Slovenskej akadémie vied : 2017-2023 : Úrad SAV : BMC SAV
    Zdroj.dok. . Vol. 41 (2023), no. 042708 Journal of Vacuum Science and Technology A
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1116/6.0002649
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by.pdfPrístupný5.2 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovMaterial properties of MOCVD-grown β- and κ-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates
    Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zheng X
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 87-90. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    článok

    článok

  3. NázovScanning thermal microscopy for accurate nanoscale device thermography
    Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Zdroj.dok. Nano Today. Vol. 39 (2021), no. 101206
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1016/j.nantod.2021.101206
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale_supplem.pdfPrístupný596 KB1Autorský preprint
    Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale.pdfPrístupný1.3 MB1Autorský preprint
    Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device.pdfNeprístupný/archív107 KB3Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  4. NázovA systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuball M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. CrystEngComm. Vol. 22 (2020), p. 130-141
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    DOI 10.1039/c9ce01549c
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdfNeprístupný/archív5.7 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  5. NázovAnnealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface
    Autor Liang J.
    Spoluautori Zhou Yi
    Masuya S.
    Gucmann Filip 1987
    Singh M.
    Pomeroy J.W.
    Kim Sora
    Kuball M.
    Kasu M.
    Shigekawa N.
    Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. Vol. 93 (2019), p. 187-192
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1016/j.diamond.2019.02.015
    článok

    článok

  6. NázovEvidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chauvat M.-P.
    Minj A.
    Gucmann Filip 1987
    Vančo L.
    Kováč Jaroslav Jr.
    Kret S.
    Ruterana P.
    Kuball M.
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1063/1.5079756
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Evidence of relationship between strain and In.pdfNeprístupný/archív2.3 MB0Vydavateľská verzia
    Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdfPrístupný1.6 MB10Postprint
    článok

    článok

  7. NázovHot-electron-related degradation in InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Killat N.
    Palankovski V. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Kuball M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 2793-2801
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1109/TED.2014.2332235
    článok

    článok

  8. NázovEffects of gate shaping and consequent process changes on AlGaN/GaN HEMT reliability
    Autor Moereke J.
    Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Uren M.J.
    Pei Y.
    Mishra Umesh K.
    Kuball M.
    Zdroj.dok. Physica status solidi A. Applications and materials science. Vol. 209, (2013), p. 2646-2652
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2013
    DOI 10.1002/pssa.201228395
    článok

    článok

  9. NázovEarly stage degradation of InAlN/GaN HEMTs during electrical stress
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Killat N.
    Kuball M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 7-10. - Piscataway : IEEE, 2012 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012
    KategóriaAFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2012
    článok

    článok

  10. NázovNon-arrhenius degradation of AlGaN/GaN HEMTs grown on bulk GaN substrates
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Killat N.
    Moereke J.
    Paskova T.
    Evans Kevin R.
    Leach J.
    Li X.
    Ozgur U.
    Morkoc H.
    Chabak K.D.
    Crespo A.
    Gillespie J.K.
    Fitch R.
    Kossler M.
    Walker D.E.
    Trejo M.
    Via G.D.
    Blevins J.D.
    Kuball M.
    Zdroj.dok. IEEE Electron Devices Letters. Vol. 33, (2012), p. 1126-1128
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1109/LED.2012.2199278
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.