Výsledky vyhľadávania
Názov Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices : Special Collection: Gallium Oxide Materials and Devices Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zheng X Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pomeroy J.W. Kuball M. Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025 VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024 DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023 ITMS2014+: 313021T081. Vybudovanie Centra pre využitie pokročilých materiálov Slovenskej akadémie vied : 2017-2023 : Úrad SAV : BMC SAV Zdroj.dok. . Vol. 41 (2023), no. 042708 Journal of Vacuum Science and Technology A Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1116/6.0002649 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by.pdf Prístupný 5.2 MB 2 Vydavateľská verzia Názov Material properties of MOCVD-grown β- and κ-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zheng X Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pomeroy J.W. Kuball M. Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025 VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024 DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023 Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 87-90. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2023 Názov Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device thermography Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pomeroy J.W. Kuball M. Zdroj.dok. Nano Today. Vol. 39 (2021), no. 101206 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1016/j.nantod.2021.101206 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale_supplem.pdf Prístupný 596 KB 1 Autorský preprint Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale.pdf Prístupný 1.3 MB 1 Autorský preprint Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device.pdf Neprístupný/archív 107 KB 3 Vydavateľská verzia Názov A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vančo L. Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Jr. Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. CrystEngComm. Vol. 22 (2020), p. 130-141 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1039/c9ce01549c Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdf Neprístupný/archív 5.7 MB 0 Vydavateľská verzia Názov Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface Autor Liang J. Spoluautori Zhou Yi Masuya S. Gucmann Filip 1987 Singh M. Pomeroy J.W. Kim Sora Kuball M. Kasu M. Shigekawa N. Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. Vol. 93 (2019), p. 187-192 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1016/j.diamond.2019.02.015 Názov Evidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Chauvat M.-P. Minj A. Gucmann Filip 1987 Vančo L. Kováč Jaroslav Jr. Kret S. Ruterana P. Kuball M. Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1063/1.5079756 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Evidence of relationship between strain and In.pdf Neprístupný/archív 2.3 MB 0 Vydavateľská verzia Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdf Prístupný 1.6 MB 10 Postprint Názov Hot-electron-related degradation in InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Killat N. Palankovski V. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 2793-2801 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1109/TED.2014.2332235 Názov Effects of gate shaping and consequent process changes on AlGaN/GaN HEMT reliability Autor Moereke J. Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Uren M.J. Pei Y. Mishra Umesh K. Kuball M. Zdroj.dok. Physica status solidi A. Applications and materials science. Vol. 209, (2013), p. 2646-2652 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.1002/pssa.201228395 Názov Early stage degradation of InAlN/GaN HEMTs during electrical stress Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Killat N. Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 7-10. - Piscataway : IEEE, 2012 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012 Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2012 Názov Non-arrhenius degradation of AlGaN/GaN HEMTs grown on bulk GaN substrates Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Killat N. Moereke J. Paskova T. Evans Kevin R. Leach J. Li X. Ozgur U. Morkoc H. Chabak K.D. Crespo A. Gillespie J.K. Fitch R. Kossler M. Walker D.E. Trejo M. Via G.D. Blevins J.D. Kuball M. Zdroj.dok. IEEE Electron Devices Letters. Vol. 33, (2012), p. 1126-1128 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1109/LED.2012.2199278