Výsledky vyhľadávania
Názov Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Blaho Michal 1983 Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107290 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1016/j.mssp.2022.107290 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire.pdf Neprístupný/archív 3.9 MB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Electron transport properties in thin InN layers grown on InAlN Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 155 (2023), no. 107250 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1016/j.mssp.2022.107250 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Electron transport properties in thin InN layers grown on InAlN.pdf Neprístupný/archív 2 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Vertical GaN transistor with semi-insulating channel Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Chvála A. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok z podujatia Rok vykazovania 2023 DOI 10.1002/pssa.202200776 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdf Neprístupný/archív 1 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Mg doping of N-polar, in-rich InAlN Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025 Zdroj.dok. Materials. Vol. 16 (2023), no. 2250 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.3390/ma16062250 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Mg Doping of N-Polar, In-Rich InAlN.pdf Prístupný 2.5 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov In(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD Autor Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025 Zdroj.dok. Nanomaterials-Basel. Vol. 12 (2022), no. 3496 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2022 DOI 10.3390/nano12193496 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.pdf Prístupný 5.4 MB 5 Vydavateľská verzia článok
Názov Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 článok
Názov Mg doping of InAlN layers Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vančo L. Gregor M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 147-150. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Mg doping of InAlN layers.pdf Prístupný 769.2 KB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov InN: breaking the limits of solid-state electronics Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Adikimenakis A. Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Tsagaraki K. Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Georgakilas A. Zdroj.dok. AIP Advances. Vol. 11 (2021), no. 125325 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1063/5.0066340 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Breaking the limits of solid-state.pdf Prístupný 6.7 MB 3 Vydavateľská verzia článok
Názov Temperature dependence of Hall-effect mobility of thin InN layers grown by MOCVD on InAlN buffer Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Progress in applied surface, interface and thin film science – solar renewable energy news 2021. SURFINT – SREN VII : extended abstract book. P. 65-66. - Bratislava : Comenius Univ., 2021 / Brunner Róbert 1954 Kategória AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií Rok vykazovania 2021 článok
Názov Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: role of deep levels Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Chvála A. Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68 (2021), no. 2365 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1109/TED.2021.3065893 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Analysis and Modeling of Vertical Current.pdf Neprístupný/archív 1.3 MB 1 Vydavateľská verzia článok