Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 74  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0143629^"
  1. NázovInfluence of thin Ga2Se3 interlayer on the properties of GaP/PtSe2 heterojunction
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč J., jr. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč J. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 24-27. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    článok

    článok

  2. NázovMOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav
    Kováč Jaroslav Jr.
    Akcia APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia. P. 21-24. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč Jaroslav Jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2022
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide.pdfPrístupný569.3 KB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovInvestigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Kováč Jaroslav
    Akcia APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024
    Zdroj.dok. AIP Advances. Vol. 12 (2022), no. 065004
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    DOI 10.1063/5.0089842
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Investigation of a nanostructured GaP.pdfPrístupný4.6 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  4. NázovOptical properties of GaAs-based LED with Fresnel structure in the surface
    Autor Lettrichová I.
    Spoluautori Pudiš D.
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gaso P.
    Šušlik Ľ.
    Jandura D.
    Ďurišová J.
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Proceedings of the SPIE. Vol. 10142 (2022), no. 101421P
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2016
    DOI 10.1117/12.2264454
    článok

    článok

  5. NázovIP-dip inverted pyramids for application in SERS
    Autor Lettrichová I.
    Spoluautori Pudiš D.
    Jandura D.
    Gašo P.
    Feiler M.
    Kováč Jaroslav
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ziman M.
    Zdroj.dok. Proceedings of the SPIE : 22nd Polish-Slovak-Czech Optical Conference on Wave and Quantum Aspects of Contemporary Optics 2022, Wojanow, Poland. Vol. 12502 (2022), no. 125020P
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1117/12.2664208
    článok

    článok

  6. NázovNear-field analysis of GaP nanocones
    Autor Pudiš D.
    Spoluautori Urbancová P.
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzma A.
    Lettrichová I.
    Goraus M.
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Jandura D.
    Šušlik Ľ.
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 539 (2021), no. 148213
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1016/j.apsusc.2020.148213
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Near-field analysis of GaP nanocones.pdfNeprístupný/archív6.3 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  7. NázovInfluence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 5-8. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2021
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Influence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer.pdfPrístupný661.6 KB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  8. NázovPolarization engineering in GaN-based
    Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai : IMFEDK2021, November 18-19, 2021. P. 1-4. - : IEEE, 2021
    KategóriaAFA - Publikované pozvané príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2021
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Polarization engineering in GaN-based.pdfNeprístupný/archív1.8 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  9. NázovInvestigation of volume fraction of GaP nanowires by SEM characterization and spectroscopic ellipsometry
    Autor Škriniarová Jaroslava
    Spoluautori Hronec P.
    Chlpík J.
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Andok Robert 1973- SAVINFO - Ústav informatiky SAV
    Zdroj.dok. Optik : International Journal for Light and Electron Optics. Vol. 234 (2021), no. 166572
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1016/j.ijleo.2021.166572
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Investigation of volume fraction of GaP nanowires by SEM.pdfNeprístupný/archív3.5 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  10. NázovMOS2/GAP heterojunction - formation and properties
    Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Kováč Jaroslav
    Zdroj.dok. Proceedings of the International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 21-24 : ADEPT 2020. - Slovakia : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020 / Kováč, jr. J. ; Chymo F. ; Feiler M. ; Jandura D. ; International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADPET 2020)
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2020
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    MOS2 GAP heterojunction formation and properties.pdfPrístupný1.2 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.