Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 11  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0040130^"
  1. NázovSemi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure
    Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Priesol J.
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vincze A.
    Chvála A.
    Marek J.
    Šatka A.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 18-0054. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2019-2022
    VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021
    Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 118 (2020), no. 105203
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    DOI 10.1016/j.mssp.2020.105203
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Semi-insulating GaN for vertical structures role of substrate selection and growth.pdfPrístupný1.4 MB8Autorský preprint
    Semi-insulating GaN for vertical.pdfNeprístupný/archív1.2 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovDevice and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMTs
    Autor Chvála A.
    Spoluautori Nagy L.
    Marek J.
    Priesol J.
    Donoval D.
    Šatka A.
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Circuits, Systems and Computers : Special Issue on Design, Technology, and Test of Integrated Circuits and Systems. Vol. 19 (2019), no. 1940009
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1142/S0218126619400097
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Device and Circuit Models of Monolithic InAlN.pdfNeprístupný/archív1.2 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovCharacterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations
    Autor Chvála A.
    Spoluautori Nagy L.
    Marek J.
    Priesol J.
    Donoval D.
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šatka A.
    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 65 (2018), p. 2666-2669
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.1109/TED.2018.2828464
    článok

    článok

  4. NázovSimulation analysis of InAlN/GaN monolithic NAND logic cell
    Autor Chvála A.
    Spoluautori Nagy L.
    Marek J.
    Priesol J.
    Donoval D.
    Vilhan Martin SAVMER - Ústav merania SAV
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šatka A.
    Zdroj.dok. ASDAM 2018 : The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 167-170. - : IEEE, 2018 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; ASDAM 2018 The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.1109/ASDAM.2018.8544508
    článok

    článok

  5. NázovTechnology and performance of E/D-mode InAlN/GaN HEMTs for mixed-signal electronics
    Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chvála A.
    Marek J.
    Šatka A.
    Zdroj.dok. 2018 22nd International Microwave and Radar Conference (MIKON) : Poznan May 14-17, 2018, Poland. P. 440-441. - : Warsaw University of Technology, 2018
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.23919/MIKON.2018.8405249
    článok

    článok

  6. NázovCharacterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by device simulation
    Autor Chvála A.
    Spoluautori Nagy L.
    Marek J.
    Priesol J.
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Príbytný P.
    Bernát M.
    Donoval D.
    Šatka A.
    Zdroj.dok. ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 40-43. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2017
    DOI 10.1109/TED.2018.2828464
    článok

    článok

  7. NázovPost-deposition annealing and thermal stability of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs
    Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šatka A.
    Nagy L.
    Chvála A.
    Marek J.
    Priesol J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 177-180. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2016
    DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805924
    článok

    článok

  8. NázovTechnology of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics
    Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šatka A.
    Nagy L.
    Chvála A.
    Marek J.
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Konstantinidis G.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 31 (2016), no. 065011
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2016
    DOI 10.1088/0268-1242/31/6/065011
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Technology of integrated self-aligned.pdfNeprístupný/archív1.1 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  9. NázovTrapped charge effects in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures with Al2O3 and ZrO2 gate insulator
    Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Marek J.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 29, (2014), 045003
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1088/0268-1242/29/4/045003
    článok

    článok

  10. NázovSimulation study of interface traps and bulk traps in n++GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
    Autor Molnár M.
    Spoluautori Donoval D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Marek J.
    Chvála A.
    Príbytný P.
    Mikolášek M.
    Rendek K.
    Palankovski V.
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 312, (2014), p. 157-161
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1016/j.apsusc.2014.04.078
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.