Výsledky vyhľadávania
Názov Growth evolution of N-polar Indium-rich InAlN layer on c-sapphire via strain relaxation by ultrathin AlON interlayer Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Minj A. Chauvat M.-P. Ruterana P. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 502 (2020), no. 144086 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.apsusc.2019.144086 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Radiation hardness limits in gamma spectrometry of semi-insulating GaAs.pdf Neprístupný/archív 4 MB 1 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Evidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Chauvat M.-P. Minj A. Gucmann Filip 1987 Vančo L. Kováč Jaroslav Jr. Kret S. Ruterana P. Kuball M. Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1063/1.5079756 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Evidence of relationship between strain and In.pdf Neprístupný/archív 2.3 MB 0 Vydavateľská verzia Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdf Prístupný 1.6 MB 11 Postprint článok