Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 4  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0181032^"
  1. NázovThermal management in high-power GaN HEMTs: investigation of selected thermal issues by 3-D simulation approach
    Autor Molnár M.
    Spoluautori Donoval D.
    Chvála A.
    Marek M.
    Príbytný P.
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hilt O.
    Brunner F.
    Würfl H.-J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Proceedings of the 3th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : ADEPT 2015 : held in Štrbské Pleso, High Tatras, Slovakia, June 1-4 2015. P. 136-139. - Žilina : Univ. Žilina, 2015
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2015
    článok

    článok

  2. NázovSelf-heating in GaN transistors designed for high-power operation
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Molnár M.
    Donoval D.
    Fleury C.
    Pogany D.
    Strasser G.
    Hilt O.
    Brunner F.
    Würfl H.-J.
    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 3429-3434
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1109/TED.2014.2350516
    článok

    článok

  3. NázovSimulation study of interface traps and bulk traps in n++GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
    Autor Molnár M.
    Spoluautori Donoval D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Marek J.
    Chvála A.
    Príbytný P.
    Mikolášek M.
    Rendek K.
    Palankovski V.
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 312, (2014), p. 157-161
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1016/j.apsusc.2014.04.078
    článok

    článok

  4. NázovModeling and characterization of In0.12Al0.88N/GaN HEMTs at elevated temperatures
    Autor Molnár M.
    Spoluautori Palankovski V.
    Donoval D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav
    Chvála A.
    Marek J.
    Príbytný P.
    Selberherr S.
    Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. ; Vincze A. Proceedings of ADEPT : 1st International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 48-51. - Žilina : University of Žilina, 2013
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2013
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.