Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 12  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0156514^"

  1. 1.Buffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors

    NázovBuffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vitanov S.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Ostermaier C.
    Alexewicz A.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Grandjean N.
    Delage S.
    Palankovski V.
    Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1143/JJAP.51.054102
    článok

    článok

  2. 2.Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering

    NázovImprovements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Carlin J.-F.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Ahn S.-I.
    Detz H.
    Klang P.
    Andrews A.M.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Toth L.
    Pécz B.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1063/1.3666669
    článok

    článok

  3. 3.Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier

    NázovProposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Škriniarová Jaroslava
    Kováč Ján
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1109/TED.2010.2055292
    článok

    článok

  4. 4.Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors

    NázovMetal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Schmid M.
    Tóth L.
    Pécz B.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 263515
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1063/1.3458700
    článok

    článok

  5. 5.InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond

    NázovInAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond
    Autor Kohn E.
    Spoluautori Alomari M.
    Denisenko A.
    Dipalo M.
    Maier D.
    Medjoub F.
    Pietzka C.
    Delage S.
    di Forte Poisson M.A.
    Morvan E.
    Sarazin N.
    Jacquet J.-C.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Py M.A.
    Gonschorek M.
    Kuzmík Ján 1960
    Pogany D.
    Pozzovivo G.
    Ostermaier C.
    Toth L.
    Pécz B.
    De Jaeger J.-C.
    Gaquiere C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Georgakilas A.
    Iliopoulos E.
    Konstantinidis G.
    Giessen C.
    Heuken M.
    Schineller B.
    Zdroj.dok. . P. 173-176 2009 IEEE International Electron Devices Meeting : proceedings of a meeting held 7-9 December 2009, Baltimore, Maryland, USA. - : IEEE, 2010
    KategóriaAEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  6. 6.Characterization of plasma-induced damage of selectively recessed GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures using SiCl4 and SF6

    NázovCharacterization of plasma-induced damage of selectively recessed GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures using SiCl4 and SF6
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Grandjean N.
    Vincze A.
    Tóth L.
    Pécz B.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 49, (2010), 116506
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1143/JJAP.49.116506
    článok

    článok

  7. 7.Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs

    NázovRole of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquire Ch.
    De Jaeger J.-C.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  8. 8.Study of Si implantation into Mg-doped GaN for MOSFETs

    NázovStudy of Si implantation into Mg-doped GaN for MOSFETs
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Ahn S.-I.
    Potzger K.
    Helm M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pogany D.
    Strasser G.
    Lee J.-H.
    Hahm S.-H.
    Lee Jung-Hee
    Zdroj.dok. Physica status solidi C. Vol. 7, (2010), p. 1964-1966
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1002/pssc.200983534
    článok

    článok

  9. 9.Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation

    NázovUltrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Carlin J.-F.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gonschorek M.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. . Vol. 30 (2009), p. 1030-1032 IEEE Electron Devices Letters
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok

  10. 10.Current collapse reduction in InAlN/GaN MOS HEMTs by in situ surface pre-treatment and atomic layer deposition of ZrO2 high-k gate dielectrics

    NázovCurrent collapse reduction in InAlN/GaN MOS HEMTs by in situ surface pre-treatment and atomic layer deposition of ZrO2 high-k gate dielectrics
    Autor Abermann S.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ostermaier C.
    Henkel C.
    Bethge O.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Bertagnolli E.
    Zdroj.dok. . Vol. 45, (2009), p. 570-572 Electronics Letters
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2009
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko