Výsledky vyhľadávania
Názov InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Tóth L. Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Cora Ildikó Fogarassy Zsolt Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Oyobiki T. Pécz B. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (2019), no. SCCCD21 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.7567/1347-4065/ab06b8 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InGaN (GaN) AlGaN GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region.pdf Neprístupný/archív 855.4 KB 0 Vydavateľská verzia 
článok