Výsledky vyhľadávania
Názov Hot-electron-related degradation in InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Killat N. Palankovski V. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 2793-2801 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1109/TED.2014.2332235 
článok
Názov Simulation study of interface traps and bulk traps in n++GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors Autor Molnár M. Spoluautori Donoval D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Marek J. Chvála A. Príbytný P. Mikolášek M. Rendek K. Palankovski V. Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 312, (2014), p. 157-161 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1016/j.apsusc.2014.04.078 článok
Názov Schottky-barrier normally off GaN/InAlN/AlN/GaN HEMT with selectively etched access region Autor Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Palankovski V. Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Electron Device Letters. Vol. 34, (2013), p. 432-434 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.1109/LED.2013.2241388 článok
Názov Modeling and characterization of In0.12Al0.88N/GaN HEMTs at elevated temperatures Autor Molnár M. Spoluautori Palankovski V. Donoval D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Chvála A. Marek J. Príbytný P. Selberherr S. Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. ; Vincze A. Proceedings of ADEPT : 1st International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 48-51. - Žilina : University of Žilina, 2013 Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2013 článok
Názov Electrothermal analysis of In0.12Al0.88N/GaN HEMTs Autor Molnár Marián Spoluautori Donnarumma G. Palankovski V. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Donoval D. Kováč Jaroslav Selberherr S. Zdroj.dok. ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 55-58. - Piscataway : IEEE, 2012 / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012 Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2012 článok
Názov Promising new n++-GaN/InAlN/GaN HEMT concept for high-frequency applications Autor Palankovski V. Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ECS Transactions. Vol. 50, (2012), p. 291-296 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1149/05003.0291ecst článok
Názov Buffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Vitanov S. Dua C. Carlin J.-F. Ostermaier C. Alexewicz A. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Grandjean N. Delage S. Palankovski V. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1143/JJAP.51.054102 článok
Názov Characterization, modeling and simulation of In0.12Al0.88N/GaN HEMTsP Autor Molnár Marián Spoluautori Donnarumma G. Palankovski V. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Donoval D. Kováč Jaroslav Selberherr S. Zdroj.dok. / Vajda J. ; Jamnický I. APCOM 2012 : proceedings on Applied Physics of Condensed Matter of the 18th International Conference. P. 190-194. - Bratislava : Slovenská technická univerzita v Bratislave, 2012 ; International Conference on Applied Physics of Condensed Matter APCOM 2012 Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2012 článok
Názov Degradation study of single and double-heterojunction InAlN/GaN HEMTs by two-dimensional simulation Autor Palankovski V. Spoluautori Donnarumma G. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ECS Transactions. Vol. 50, (2012), p. 223-228 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1149/05003.0223ecst článok
Názov Study of the conduction properties of the n++ GaN cap layer in GaN/InAlN/GaN E-HEMTs Autor Vitanov S. Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Palankovski V. Zdroj.dok. Annual Journal of Electronics. (2011), p. 113-116 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 článok