Výsledky vyhľadávania
Názov Highly homogeneous 2D/3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2 on ion implantation doped 4H-SiC Autor Giannazzo F. Spoluautori Panasci S.E. Schilirò E. Fiorenza P. Greco G. Roccaforte F. Cannas M. Agnello S. Koos A. Pécz B. Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Chromik Štefan 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . Vol. 10 (2023), no. 2201502 Advanced Materials Interfaces Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1002/admi.202201502 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Highly homogeneous 2D 3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2.pdf Prístupný 4.3 MB 2 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Large-area MoS2 films grown on sapphire and GaN substrates by pulsed laser deposition Autor Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Chromik Štefan 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pribusová Slušná Lenka SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Talacko Marcel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregor M. Pécz B. Koos A. Greco G. Panasci S.E. Fiorenza P. Roccaforte F. Cordier Y. Frayssinet E. Giannazzo F. Akcia VEGA 2/0140/22. vedúci projetu: M. Španková : 2022-2025 FLAG-ERA III/2019/884/ETMOS. vedúci projetu: Š. Chromik : 2020-2023 APVV 19-0303. vedúci projetu: Š. Chromik : 2020-2023 Zdroj.dok. Nanomaterials-Basel. Vol. 13 (2023), no. 2837 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.3390/nano13212837 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Large-Area MoS2 Films Grown on Sapphire and GaN Substrates by Pulsed Laser Deposition.pdf Prístupný 6.3 MB 0 Vydavateľská verzia článok