Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 70  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0000220^"
  1. NázovCurrent conduction mechanism and electrical break-down in InN grown on GaN
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Fleury C.
    Adikimenakis A.
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Androulidaki M.
    Pogany D.
    Georgakilas A.
    Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 110 (2017), art. no. 232103
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2017
    DOI 10.1063/1.4985128
    článok

    článok

  2. NázovSelf-heating in GaN transistors designed for high-power operation
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Molnár M.
    Donoval D.
    Fleury C.
    Pogany D.
    Strasser G.
    Hilt O.
    Brunner F.
    Würfl H.-J.
    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 3429-3434
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1109/TED.2014.2350516
    článok

    článok

  3. NázovInfluence of processing and annealing steps on electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3 gate insulation and passivation
    Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Alexewicz A.
    di Forte Poisson M.A.
    Pogany D.
    Strasser G.
    Delage S.
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Solid-State Electronics. Vol. 67 (2012), p. 74-78
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1016/j.sse.2011.09.002
    článok

    článok

  4. NázovBuffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vitanov S.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Ostermaier C.
    Alexewicz A.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Grandjean N.
    Delage S.
    Palankovski V.
    Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1143/JJAP.51.054102
    článok

    článok

  5. NázovImprovements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Carlin J.-F.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Ahn S.-I.
    Detz H.
    Klang P.
    Andrews A.M.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Toth L.
    Pécz B.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1063/1.3666669
    článok

    článok

  6. NázovElectrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3, ZrO2, and GdScO3 gate dielectrics
    Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Pogany D.
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 29 (2011), 01A808
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2011
    DOI 10.1116/1.3521506
    článok

    článok

  7. NázovThermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN device on single crystalline diamond
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Bychikhin S.
    Pogany D.
    Pichonat E.
    Lancry O.
    Gaquiere C.
    Tsiakatouras G.
    Deligeorgis G.
    Georgakilas A.
    Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 109, (2011), no. 086106
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2011
    DOI 10.1063/1.3581032
    článok

    článok

  8. NázovRole of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquire Ch.
    De Jaeger J.-C.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  9. NázovOptimization of the ohmic contact processing in InAlN/GaN high electron mobility transistors for lower temperature of annealing
    Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Pogany D.
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Physica Status Solidi C. Vol. 7, (2010), p. 108-111
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1002/pssc.200982640
    článok

    článok

  10. NázovStudy of Si implantation into Mg-doped GaN for MOSFETs
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Ahn S.-I.
    Potzger K.
    Helm M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pogany D.
    Strasser G.
    Lee J.-H.
    Hahm S.-H.
    Lee Jung-Hee
    Zdroj.dok. Physica status solidi C. Vol. 7, (2010), p. 1964-1966
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1002/pssc.200983534
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.