Výsledky vyhľadávania
Názov Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Basnar B. Schrenk W. Ahn S.-I. Detz H. Klang P. Andrews A.M. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Toth L. Pécz B. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1063/1.3666669 Názov Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Kováč Ján Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1109/TED.2010.2055292 Názov Current transport and barrier height evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes Autor Donoval D. Spoluautori Chvála A. Šramatý R. Kováč Jaroslav Carlin J.-F. Grandjean N. Pozzovivo G. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pogany D. Strasser G. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 223501 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1063/1.3442486 Názov Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Schmid M. Tóth L. Pécz B. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 263515 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1063/1.3458700 Názov InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond Autor Kohn E. Spoluautori Alomari M. Denisenko A. Dipalo M. Maier D. Medjoub F. Pietzka C. Delage S. di Forte Poisson M.A. Morvan E. Sarazin N. Jacquet J.-C. Dua C. Carlin J.-F. Grandjean N. Py M.A. Gonschorek M. Kuzmík Ján 1960 Pogany D. Pozzovivo G. Ostermaier C. Toth L. Pécz B. De Jaeger J.-C. Gaquiere C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Georgakilas A. Iliopoulos E. Konstantinidis G. Giessen C. Heuken M. Schineller B. Zdroj.dok. . P. 173-176 2009 IEEE International Electron Devices Meeting : proceedings of a meeting held 7-9 December 2009, Baltimore, Maryland, USA. - : IEEE, 2010 Kategória AEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 Názov Characterization of plasma-induced damage of selectively recessed GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures using SiCl4 and SF6 Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Vincze A. Tóth L. Pécz B. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 49, (2010), 116506 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1143/JJAP.49.116506 Názov Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquire Ch. De Jaeger J.-C. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 Názov Current transport in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes Autor Donoval D. Spoluautori Chvála A. Pozzovivo G. Šramatý R. Carlin J.-F. Kováč Ján Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Strasser G. Grandjean N. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. / Pavlidis D. ; Yilmazoglu O. ; Biethan J.-P. . P. 45-46 34th Workshop on Compound Semicond. Devices and Integrated Circuits held in Europe : WOCSDICE 2010. - Darmstadt : TU, 2010 Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 Názov Low resistance ohmic contacts annealed at 600 °C on a InAlN/GaN heterostructure with SiCl4-reactive ion etching surface treatment Autor Pozzovivo G. Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Giesen C. Heuken M. Liday J. Strasser G. Pogany D. Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 6, (2009), p. S999-S1002 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 Názov Interface states and trapping effects in Al2O3- and ZrO2/InAlN/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pogany D. Pozzovivo G. Strasser G. Abermann S. Bertagnolli E. Carlin J.-F. Grandjean N. Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . Vol. 48 (2009), no. 090201 Japanese Journal of Applied Physics Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009