Výsledky vyhľadávania
Názov Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by device simulation Autor Chvála A. Spoluautori Nagy L. Marek J. Priesol J. Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Príbytný P. Bernát M. Donoval D. Šatka A. Zdroj.dok. ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 40-43. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2017 DOI 10.1109/TED.2018.2828464 
článok
Názov Thermal management in high-power GaN HEMTs: investigation of selected thermal issues by 3-D simulation approach Autor Molnár M. Spoluautori Donoval D. Chvála A. Marek M. Príbytný P. Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hilt O. Brunner F. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Proceedings of the 3th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : ADEPT 2015 : held in Štrbské Pleso, High Tatras, Slovakia, June 1-4 2015. P. 136-139. - Žilina : Univ. Žilina, 2015 Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2015 článok
Názov Simulation study of interface traps and bulk traps in n++GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors Autor Molnár M. Spoluautori Donoval D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Marek J. Chvála A. Príbytný P. Mikolášek M. Rendek K. Palankovski V. Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 312, (2014), p. 157-161 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1016/j.apsusc.2014.04.078 článok
Názov Modeling and characterization of In0.12Al0.88N/GaN HEMTs at elevated temperatures Autor Molnár M. Spoluautori Palankovski V. Donoval D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Chvála A. Marek J. Príbytný P. Selberherr S. Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. ; Vincze A. Proceedings of ADEPT : 1st International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 48-51. - Žilina : University of Žilina, 2013 Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2013 článok